先進(jìn)封裝技術(shù)
應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。
特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。
平板顯示（LCD/OLED/Micro-LED）
核心用途：制備透明導(dǎo)電薄膜（如氧化銦錫，ITO），作為顯示面板的電極層和觸控層。
LCD：用于玻璃基板的 ITO 薄膜，實(shí)現(xiàn)像素電極的導(dǎo)電功能。
OLED/Micro-LED：作為柔性基板（如 PI 膜）的透明電極，滿(mǎn)足柔性顯示對(duì)材料延展性的要求。
市場(chǎng)占比：全球超過(guò) 70% 的銦靶材用于顯示面板生產(chǎn)，是 LCD/OLED 產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵材料。
科研與前沿技術(shù)
1. 量子計(jì)算與超導(dǎo)器件
探索應(yīng)用：銦薄膜作為超導(dǎo)材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制備，利用其超導(dǎo)電性實(shí)現(xiàn)低損耗量子信號(hào)傳輸。
2. 柔性電子與可穿戴設(shè)備
技術(shù)方向：在柔性電路板（FPC）、電子皮膚中作為可拉伸導(dǎo)電薄膜，利用銦的高延展性滿(mǎn)足器件形變需求。
濺射時(shí)間與沉積厚度
厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。
靶材利用率：避免過(guò)度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。
