1. 量子效率（QE）的技術含義與檢測意義

量子效率（QE）是評估光電探測器光電轉換效能的關鍵指標，其計算公式為：

QE(λ) = （可檢測光電子數/入射光子數）×

針對工作波段覆蓋900-1700nm的InGaAs相機，較高的QE值意味著設備在紅外光譜范圍內具備更突出的光電轉換能力，有助于提升成像系統的信噪比表現。

2. 高QE InGaAs相機在VCSEL氧化孔徑檢測中的技術特點

垂直腔面發射激光器（VCSEL）的氧化孔徑結構對其光學特性具有重要影響，該結構的測量需要高性能紅外成像解決方案。結合專業近紅外顯微成像系統與高QE InGaAs相機，可獲得明顯的檢測效果提升：

（1）優化的信噪比表現，實現精細結構識別

氧化孔徑結構的特征尺寸通常處于微納量級，需要高對比度的成像條件。

專業成像系統配合高QE相機能夠增強弱光信號響應，改善圖像質量，為測量提供保障。

（2）弱光環境下的穩定成像能力

考慮到VCSEL氧化層結構的特性，高QE相機在較低光照條件下仍能保持穩定的成像性能，配合高分辨率光學系統可獲得可靠的檢測數據。

（3）寬光譜適配性能

標準InGaAs相機在900-1700nm波段具有較好的響應特性（QE值可達80%-90%），針對850nm/940nm等特定波長的檢測需求，可通過選擇擴展波長型號或優化光學配置來實現。

（4）動態觀測能力

高QE特性有助于縮短曝光時間，滿足VCSEL動態過程研究的成像需求。

3. 專業檢測系統的綜合技術優勢

技術特征

應用價值

高QE InGaAs探測器

提升信號質量，保證測量可靠性

高性能光學系統MIR100

提供高分辨率的成像效果

寬光譜適配能力

滿足不同波長檢測需求

低溫噪聲控制技術

保障長時間穩定工作

快速成像性能

支持動態過程觀測

4. 典型應用場景

■ VCSEL氧化孔徑結構測量

■ 激光器近場模式分析

■ 半導體材料質量評估

■ 紅外光電器件研發驗證

技術總結

在VCSEL氧化孔徑檢測應用中，高QE InGaAs相機與卡斯圖 MIR100專業近紅外顯微系統的組合可提供：

優化的信噪比表現

較寬的動態檢測范圍

良好的光譜適配性

更高的時間分辨率

該技術方案適用于半導體器件研發、光通信組件檢測等領域，為相關研究提供可靠的檢測手段。

（注：具體技術參數請以實際設備性能為準。）